2024³â03¿ù29ÀÏfri
 
ƼĿ´º½º
OFF
´º½ºÈ¨ > Á¾ÇÕ´º½º > ¾÷°è¸®ºä
Æ®À§ÅÍ·Î º¸³»±â ½ÎÀÌ¿ùµå °ø°¨ ³×À̹ö ¹êµå °øÀ¯
ÂÊÁö½Å°íÇϱ⠱â»ç±ÛÈ®´ë ±â»ç±ÛÃà¼Ò ±â»ç½ºÅ©·¦ À̸ÞÀϹ®ÀÇ ÇÁ¸°Æ®Çϱâ

¡°Àü±âÂ÷ ÇÙ½É ºÎÇ° ¡®Àü·Â¹ÝµµÃ¼¡¯ ½Å·Ú¼º ³ôÀδ١±

µî·Ï³¯Â¥ [ 2022³â05¿ù21ÀÏ 11½Ã16ºÐ ]
 Àü±âÂ÷ ÇÙ½É ºÎÇ° Àü·Â¹ÝµµÃ¼½Å·Ú¼º ³ôÀδÙ

Å¥¾ËƼ, Àü·Â¹ÝµµÃ¼ °ÔÀÌÆ® ¿Á»çÀÌµå ºÒ·®

Á¶±â È®ÀÎ °¡´ÉÇÑ ‘TDDB ¼ö¸íÆò°¡ ¼­ºñ½ºÃâ½Ã

 

- TDDB ¼ö¸íÆò°¡ ¼­ºñ½º, JEDEC¿¡¼­ Á¦Á¤ÇÑ °ÔÀÌÆ® ¿Á»çÀÌµå ½Å·Ú¼º Æò°¡ Ç¥ÁØ ‘JESD 92’ ¸ÂÃç ¼³°è

- ‘½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC)’, ÀÏ¹Ý ½Ç¸®ÄÜ ´ëºñ 10¹è ÀÌ»ó °íÀü¾Ð, ¿­Àüµµ 3¹è ÀÌ»ó ³ô¾Æ °¢±¤

- Å¥¾ËƼ, 50V Àü¾Ð ¹× 120µµ ÀÌ»óÀÇ ¿­ Á¶°Ç ÃæÁ·µÈ °¡¼ÓÈ­ ½ÃÇèȯ°æ ±¸Ãà

- 36°³ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ µ¿½Ã Å×½ºÆ® ¹× MOSFET, IGBT µî ´Ù¾çÇÑ ¼ÒÀç¿¡ ´ëÇÑ Æò°¡ °­Á¡

 

 

¹ÝµµÃ¼ ¹× ÀüÀÚºÎÇ° ½Å·Ú¼º ºÐ¼® ±â¾÷ Å¥¾ËƼ(QRT, ´ëÇ¥ ±è¿µºÎ)°¡ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ÀÇ °ÔÀÌÆ® ¿Á»çÀ̵å(Àý¿¬¸·) ºÒ·®À» Á¶±â¿¡ È®ÀÎÇÒ ¼ö ÀÖ´Â TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown of Ultra-Thin Gate Dielectrics) ¼ö¸íÆò°¡ ¼­ºñ½º¸¦ Ãâ½ÃÇß´Ù.

 

Å¥¾ËƼÀÇ TDDB ¼ö¸íÆò°¡ ¼­ºñ½º´Â ±¹Á¦¹ÝµµÃ¼Ç¥ÁØÇùÀDZⱸ(JEDEC)¿¡¼­ Á¦Á¤ÇÑ °ÔÀÌÆ® ¿Á»çÀÌµå ½Å·Ú¼º Æò°¡ Ç¥ÁØÀÎ ‘JESD 92’¿¡ ¸ÂÃç ¼³°èµÆ´Ù. JESD 92´Â ÁÖ·Î ÃʹÚÇü °ÔÀÌÆ® »êÈ­¹°ÀÇ ‘Wear Out(¸¶¸ð)’ ¶Ç´Â TDDB(½Ã°£Á¾¼Ó Àý¿¬Ç׺¹ Ư¼º)ÀÇ °¡¼Óµµ ¸Å°³º¯¼ö¸¦ ÃßÁ¤Çϱâ À§ÇØ ±ÔÁ¤µÆ´Ù.

 

Àü·ù ¹æÇâ°ú Àü·Â º¯È¯À» Á¦¾îÇÏ´Â µ¥ ÇÙ½ÉÀûÀÎ ¿ªÇÒÀ» ÇÏ´Â Àü·Â¹ÝµµÃ¼´Â Àü±âÂ÷, ÀüÀÚÁ¦Ç°, 5¼¼´ë Åë½Å¸Á µî ´Ù¾çÇÑ ºÐ¾ß¿¡¼­ Æø³Ð°Ô È°¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ƯÈ÷, ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC)ÀÇ °æ¿ì ÀÏ¹Ý ½Ç¸®ÄÜ ´ëºñ 10¹è ÀÌ»óÀÇ °íÀü¾Ð¿¡ °ßµð°í, ¿­Àüµµµµ 3¹è ÀÌ»ó ³ô¾Æ Â÷¼¼´ë ÀüÀå ºÎÇ° ¹× Ç×°ø·¿ìÁÖ ¼ÒÀç·Î °¢±¤¹Þ°í ÀÖ´Ù. Àü±âÂ÷ ºÐ¾ß¿¡¼­´Â ¹èÅ͸®¿Í Àü±â¸ðÅ͸¦ ¿¬°áÇÏ´Â °í¼º´É ÀιöÅÍ ³» Çʼö ºÎÇ°À¸·Î È°¿ëµÇ°í Àֱ⵵ ÇÏ´Ù.

 

±×·¯³ª, ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC)´Â °ÔÀÌÆ® ¿Á»çÀ̵å(Àý¿¬¸·) Çü¼º ½Ã ¼ø¼ö ½Ç¸®ÄÜ°ú ´Þ¸® Ä«º»(Carbon) Ŭ·¯½ºÅÍ¿¡ ÀÇÇØ °è¸é Æ÷ȹ Ư¼ºÀÌ ÁÁÁö ¾Ê°í, ³»ºÎ °áÁ¤ÀÌ º¹ÀâÇØ °áÇÔÀ» ã±â°¡ ¾î·Æ´Ù. Á¦Á¶ °úÁ¤¿¡¼­ °áÁ¤ °áÇÔÀÌ ¹ß»ýÇÒ °æ¿ì Àý¿¬¸·¿¡ ÀüÀÚ°¡ Çü¼ºµÇ¾î ´©¼³Àü·ù(Leakage Current) Áõ°¡¿Í Àü·Â¼Õ½ÇÀ» À¯¹ßÇÒ ¼öµµ ÀÖ´Ù.

 

Å¥¾ËƼ´Â TDDB ¼ö¸íÆò°¡ ¼­ºñ½º¸¦ ÅëÇØ ÀÏÁ¤ ¼öÁØ ÀÌ»óÀÇ °í¾Ð°ú °í¿Â ȯ°æ¿¡¼­ Àü·Â¹ÝµµÃ¼°¡ °ßµô ¼ö ÀÖ´ÂÁö È®ÀÎÇϱâ À§ÇØ 50V Àü¾Ð°ú 120µµ ÀÌ»óÀÇ ¿­ Á¶°ÇÀÌ ÃæÁ·µÈ °¡¼ÓÈ­µÈ ½ÃÇèȯ°æÀ» ±¸ÃàÇß´Ù. ÇÑ ¹ø¿¡ 36°³ÀÇ Àü·Â¹ÝµµÃ¼¸¦ µ¿½Ã¿¡ Å×½ºÆ® °¡´ÉÇϸç, ´©¼³ Àü·ù¸¦ ½Ç½Ã°£À¸·Î ÆľÇÇØ ÀÏÁ¤ ¼öÁØÀ» ÃÊ°úÇÏ¸é ºÒ·® ÆÇ´ÜÇÑ´Ù.

 

¾Æ¿ï·¯, Å×½ºÆ® µµÁß Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ºÒ·®ÀÌ ¹ß»ýÇÏ¸é ½Å¼ÓÇÏ°Ô ¿øÀÎÀ» ºÐ¼®ÇÏ°í ¼º´ÉÀ» °³¼±ÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ºÒ·® À§Ä¡¸¦ ÆǺ°ÇÏ´Â Á¾Çպм® ¼­ºñ½ºµµ ¿¬°èÇß´Ù. ÇØ´ç ¼­ºñ½º¸¦ ÅëÇØ ½Å·Ú¼º Å×½ºÆ®°¡ °¡´ÉÇÑ Àü·Â¹ÝµµÃ¼´Â ÇöÀç ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC)ºÎÅÍ MOSFET(¸ð½ºÆê), IGBT(Àý¿¬°ÔÀÌÆ® ¾ç±Ø¼º Æ®·£Áö½ºÅÍ)±îÁö ´Ù¾çÇÏ´Ù.

 

±è±â¼® Å¥¾ËƼ ±â¼ú¿¬±¸¼ÒÀåÀº ģȯ°æ Á¤Ã¥À¸·Î Àü±âÂ÷¿¡ ´ëÇÑ ¼ö¿ä°¡ ´Ã¾î³ª¸é¼­, Àü·Â¹ÝµµÃ¼¿¡ ´ëÇÑ ¾ÈÀü¼º Æò°¡°¡ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ÇÙ½É À̽´·Î ¶°¿À¸£°í ÀÖ´Ù¸ç, “±¸µ¿ °úÁ¤¿¡¼­ ÀιöÅÍ ³» ¹®Á¦°¡ ¹ß»ýÇÏÁö ¾Êµµ·Ï ½Å·Ú¼º Å×½ºÆ®¸¦ ±â¹ÝÀ¸·Î ÇÑ Ã¶ÀúÇÑ »çÀü ¿¹¹æÀÌ ÇÊ¿äÇÏ´Ù°í °­Á¶Çß´Ù. (³¡)

 

 

[À̹ÌÁö1] Å¥¾ËƼ, Àü·Â¹ÝµµÃ¼ °ÔÀÌÆ® ¿Á»çÀÌµå ºÒ·® Á¶±â È®ÀÎ °¡´ÉÇÑ ‘TDDB ¼ö¸íÆò°¡ ¼­ºñ½ºÃâ½Ã

 

¿Ã·Á 0 ³»·Á 0
±è°¡Áß ÀÌ ±âÀÚÀÇ ´Ù¸¥´º½ºº¸±â
¹«ÅëÀåÀÔ±Ý Á¤º¸ÀÔ·Â ÀÔ±ÝÀÚ¸í ÀԱݿ¹Á¤ÀÏÀÚ
(ÀÔ±ÝÇÏ½Ç ÀÔ±ÝÀÚ¸í + ÀԱݿ¹Á¤ÀÏÀÚ¸¦ ÀÔ·ÂÇϼ¼¿ä)
[°ü·Ã´º½º]
- °ü·Ã´º½º°¡ ¾ø½À´Ï´Ù.
Æ®À§ÅÍ·Î º¸³»±â ½ÎÀÌ¿ùµå °ø°¨
±â»ç±ÛÈ®´ë ±â»ç±ÛÃà¼Ò ±â»ç½ºÅ©·¦ À̸ÞÀϹ®ÀÇ ÇÁ¸°Æ®Çϱâ
5¿ù, ÈÄÁöÇʸ§¸ô¿¡¼­ dz¼ºÇÑ À̺¥Æ® ¸¸³ªº¸¼¼¿ä~ (2022-05-21 11:18:48)
»ï¼ºÀüÀÚ, ÆĶó´ÙÀ̽ºÈ£ÅÚ°ú ¡®ºñ½ºÆ÷Å© Æê ÄÉ¾î °¡Àü¡¯ üÇè À̺¥Æ® ÁøÇà (2022-05-20 11:58:43)